片式二极管【SMD Diode】全称：片式晶体二极管爱游戏版本app，也称为：贴片二极管。
二极管与三极管一样属于基础的片式半导体器件，其重要的性质就是单向导电特性爱游戏版本app爱游戏版本app。半导体是一种特殊性质的物质，它不像导体一样可以导电爱游戏版本app，也不像绝缘体那样不 能导电爱游戏版本app爱游戏版本app，而是介于二者之间爱游戏版本app，所以称之为半导体爱游戏版本app，在半导体中有二种重要的元素就是硅和锗爱游戏版本app，晶体二极管根据所用的半导体材料爱游戏版本app爱游戏版本app，可分为锗二极管（Ge管）和硅 二极管（Si管）爱游戏版本app爱游戏版本app爱游戏版本app。
贴片二极管按照不同功能和用途可分为贴片式开关二极管爱游戏版本app、变容二极管、稳压片式二极管爱游戏版本app爱游戏版本app爱游戏版本app、整流片式二极管 爱游戏版本app爱游戏版本app爱游戏版本app、肖特基片式二极管爱游戏版本app、瞬变抑制二极管、发光二极管等爱游戏版本app爱游戏版本app爱游戏版本app。目前国内贴片二极管主要生产厂家包括风华高科（FH）和江苏长电科技JCST等爱游戏版本app爱游戏版本app爱游戏版本app。国外二极管品牌包括VISHAY（威世）爱游戏版本app爱游戏版本app、ST（意法半导体）爱游戏版本app爱游戏版本app爱游戏版本app、东芝 爱游戏版本app爱游戏版本app爱游戏版本app、AVAGO（安华高）等，目前在常规用途和封装方面爱游戏版本app，国内二极管品牌与国外相比没有明显差距爱游戏版本app。
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开关二极管
开关二极管是半导体二极管的一种爱游戏版本app，是为在电路上进行"开"爱游戏版本app、"关"而特殊设计制造的一类二极管爱游戏版本app爱游戏版本app。它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短，常用型号为1N4148等爱游戏版本app。
开关二极管从截止（高阻状态）到导通（低阻状态）的时间叫开通时间；从导通到截止的时间叫反向恢复时间；两个时间之和称为开关时间爱游戏版本app。一般反向恢复时间大于开通时间爱游戏版本app爱游戏版本app，故在开关二极管的使用参数上只给出反向恢复时间。
开关二极管具有开关速度快爱游戏版本app、体积小爱游戏版本app爱游戏版本app、寿命长、可靠性高等特点爱游戏版本app爱游戏版本app，广泛应用于电子设备的开关电路爱游戏版本app、检波电路、高频和脉冲整流电路及自动控制电路中爱游戏版本app爱游戏版本app爱游戏版本app爱游戏版本app。
变容二极管
变容二极管(Varactor Diodes)又称"可变电抗二极管"爱游戏版本app爱游戏版本app爱游戏版本app爱游戏版本app。是一种利用PN结电容（势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二极管爱游戏版本app爱游戏版本app。当外加顺向偏压时爱游戏版本app爱游戏版本app爱游戏版本app，有大量电流产生，PN（正负极）接面的耗尽区变窄爱游戏版本app，电容变大，产生扩散电容效应爱游戏版本app；当外加反向偏压时，则会产生过渡电容效应爱游戏版本app爱游戏版本app。但因加顺向偏压时会有漏电流的产生爱游戏版本app爱游戏版本app，所以在应用上均供给反向偏压爱游戏版本app。在高频调谐爱游戏版本app、通信等电路中作可变电容器使用爱游戏版本app。反向偏压越高爱游戏版本app，结电容则越少爱游戏版本app爱游戏版本app，反向偏压与结电容之间的关系是非线性的爱游戏版本app。
贴片稳压二极管/齐纳二极管
稳压二极管(又叫齐纳二极管)是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件爱游戏版本app爱游戏版本app。在这临界击穿点上爱游戏版本app爱游戏版本app爱游戏版本app，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定爱游戏版本app爱游戏版本app，稳压二极管是根据击穿电压来分档的爱游戏版本app。因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。
参数：（1）稳定电压；（2）电压温度系数爱游戏版本app；（3）动态电阻；（4）稳定电流 ，*大、*小稳定电流爱游戏版本app爱游戏版本app；（5）*大允许功耗爱游戏版本app爱游戏版本app。
特点：被击穿后，其两端的电压基本保持不变爱游戏版本app爱游戏版本app爱游戏版本app。当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。
两个稳压二极管反向串联的作用：1爱游戏版本app、经常在功率较大的放大电路，功率管的基极b与发射极e即发射结并联两个反向的二极管爱游戏版本app，这是通过对发射结输入电流的分流作用而起卑蜗钒姹綼pp；ぷ饔?爱游戏版本app爱游戏版本app；2、两个二极管反向串联后对与之并联的电路可起过压卑蜗钒姹綼pp；ぷ饔冒蜗钒姹綼pp爱游戏版本app，当电路过压时爱游戏版本app爱游戏版本app，二极管首先击穿短路爱游戏版本app；
贴片整流二极管
整流二极管英文全称rectifier diode爱游戏版本app爱游戏版本app，一般为平面型硅二极管爱游戏版本app，用于各种电源整流电路中爱游戏版本app爱游戏版本app，是一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件爱游戏版本app。整流二极管具有明显的单向导电性,可用半导体锗或硅等材料制造爱游戏版本app。硅整流二极管的击穿电压高爱游戏版本app，反向漏电流小爱游戏版本app爱游戏版本app，高温性能良好爱游戏版本app。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大爱游戏版本app爱游戏版本app爱游戏版本app，能通过较大电流（可达上千安）爱游戏版本app，但工作频率不高，一般在几十千赫以下,主要用于各种低频半波整流电路爱游戏版本app爱游戏版本app，如需达到全波整流需连成整流桥使用爱游戏版本app爱游戏版本app。
选用：选用整流二极管时爱游戏版本app，主要应考虑其*大整流电流爱游戏版本app、*大反向工作电流爱游戏版本app、截止频率及反向恢复时间等参数爱游戏版本app。普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管爱游戏版本app爱游戏版本app爱游戏版本app，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择*大整流电流和*大反向工作电流符合要求即可爱游戏版本app爱游戏版本app?？匚妊沟缭吹恼鞯缏芳奥龀逭鞯缏分惺褂?，应选用工作频率较高爱游戏版本app、反向恢复时间较短的整流二极管或选择快恢复二极管。
主要参数：
（1）*大平均整流电流IF：指长期工作时允许通过的*大正向平均电流爱游戏版本app。该电流由PN结的结面积和散热条件决定爱游戏版本app爱游戏版本app爱游戏版本app。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值爱游戏版本app爱游戏版本app，并要满足散热条件爱游戏版本app。例如1N4000二极管的IF为1A爱游戏版本app。
?爱游戏版本app。?）较高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的*大反向电压爱游戏版本app爱游戏版本app。若大于此值爱游戏版本app爱游戏版本app，则反向电流(IR)剧增爱游戏版本app，单向导电性被破坏，从而引起反向击穿爱游戏版本app。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)爱游戏版本app。例如1N4001的VR为50V爱游戏版本app爱游戏版本app，1N4002-1n4006分别为100V爱游戏版本app爱游戏版本app、200V、400V爱游戏版本app爱游戏版本app爱游戏版本app、600V和800V爱游戏版本app爱游戏版本app，1N4007的VR为1000V
?爱游戏版本app。?）*大反向电流IR：较高反向工作电压下允许流过的反向电流爱游戏版本app，此参数反映了单向导电性能的好坏爱游戏版本app。因此这个电流值越小爱游戏版本app，表明质量越好爱游戏版本app爱游戏版本app。
?。?）击穿电压VR：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。
?。?）较高工作频率fm：正常情况下的较高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz爱游戏版本app。
?。?）反向恢复时间tre：指在规定的负载爱游戏版本app、正向电流及*大反向瞬态电压下的反向恢复时间爱游戏版本app爱游戏版本app。
?爱游戏版本app。?）零偏压电容CO：指两端电压为零时爱游戏版本app，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制爱游戏版本app，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大爱游戏版本app。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变爱游戏版本app爱游戏版本app，则相应的参数也会发生变化爱游戏版本app，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA，而在100°C时IR则变为小于500uA爱游戏版本app。
整流二极管代换需要注意的问题：
整流二极管损坏后爱游戏版本app，可以用同型号的整流二极管或参数相贩其它型号代换爱游戏版本app爱游戏版本app。通常，高耐压值（反向电压）的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管爱游戏版本app，而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管。整流电流值高的二极管可以代换整流电流值低的二极管爱游戏版本app爱游戏版本app，而整流电流值低的则不能代换整流电流值高的二极管。
贴片肖特基二极管
肖特基二极管英文全称为SchottkyBarrierDiode爱游戏版本app爱游戏版本app，常常简称为SBD爱游戏版本app，不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的爱游戏版本app爱游戏版本app爱游戏版本app，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的爱游戏版本app爱游戏版本app，因此也被称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管或肖特基势垒二极管，它是一种热载流子二极管爱游戏版本app。
肖特基二极管特性：低功耗爱游戏版本app、大电流、超高速半导体器件爱游戏版本app。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒）爱游戏版本app，正向导通压降仅0.4V左右爱游戏版本app，而整流电流却可达到几千毫安爱游戏版本app。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的爱游戏版本app。中爱游戏版本app爱游戏版本app爱游戏版本app、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式爱游戏版本app。但其反向击穿电压比较低爱游戏版本app，大多不高于60V爱游戏版本app爱游戏版本app，较高仅约100V爱游戏版本app，以致于限制了其应用范围爱游戏版本app爱游戏版本app。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管爱游戏版本app爱游戏版本app、变压器次级用100V以上的高频整流二极管爱游戏版本app、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等爱游戏版本app爱游戏版本app，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）爱游戏版本app爱游戏版本app爱游戏版本app。肖特基二极管封装：分为有引线和表面安装（贴片式）两种安装形式爱游戏版本app。 采用有引线式封装通常作为高频大电流整流二极管爱游戏版本app、续流二极管或卑蜗钒姹綼pp爱游戏版本app爱游戏版本app爱游戏版本app；ざ苁褂冒蜗钒姹綼pp爱游戏版本app。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式爱游戏版本app爱游戏版本app爱游戏版本app。肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）爱游戏版本app、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只的负极）三种管脚引出方式爱游戏版本app。
采用表面封装的肖特基二极管有单管型爱游戏版本app爱游戏版本app、双管型和三管型等多种封装形式爱游戏版本app爱游戏版本app，有A~19种管脚引出方式
贴片瞬变抑制二极管(台湾佑风)
瞬态抑制二极管(TVS，Transient Voltage Suppressors)又称为瞬变二极管，一种高品质的突波吸收器爱游戏版本app，是目前国际上普遍使用的一种高效能电路?爱游戏版本app；て骷蜗钒姹綼pp，它的外型与普通二极管相同爱游戏版本app爱游戏版本app，但却能吸收高达数千瓦的浪涌功率。
主要特点：并联在电路中爱游戏版本app爱游戏版本app，在反向应用条件下爱游戏版本app爱游戏版本app，当承受一个高能量的大脉冲时爱游戏版本app，其工作阻抗立即降至极低的导通值爱游戏版本app，从而允许大电流通过，同时把电压箝制在预定水平爱游戏版本app，其响应时间仅为10-12毫秒爱游戏版本app，因此可有效地?爱游戏版本app；さ缱酉呗分械木茉骷?爱游戏版本app爱游戏版本app。 在电路中产生瞬态电压时爱游戏版本app爱游戏版本app，TVS利用雪崩原理，以P秒级的反应速度瞬间起到分流限压作用爱游戏版本app爱游戏版本app、从而?爱游戏版本app；じ涸夭槐凰鸹?br> 应用领域：广泛应用于通信、电脑,爱游戏版本app、仪器仪表、汽车电子爱游戏版本app、开关电源爱游戏版本app爱游戏版本app、防雷及楼宇安防产品爱游戏版本app爱游戏版本app爱游戏版本app。风华与长电二极管代理商南京南山半导体介绍
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